日常生活中， ESD (Electro-Static Discharge ，靜電放電 ) 對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，然而對(duì)電子產(chǎn)品而言， ESD 往往是致命的 —— 它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線(xiàn)路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此， ESD 防護(hù)一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對(duì)于剛開(kāi)始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專(zhuān)業(yè)技能之前通常都要接受一些 ESD 相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn)，足見(jiàn) ESD 防護(hù)的地位與重要性。  

　
圖 1 電子顯微鏡下 IC 內(nèi)部損毀的照片

　　一般， ESD 保護(hù)一般通過(guò)兩種途徑來(lái)實(shí)現(xiàn)，第一種方法是避免 ESD 的發(fā)生；第二種方法則是通過(guò)片內(nèi)或片外集成內(nèi)部保護(hù)電路或?qū)Ｓ?/span> ESD 保護(hù)器件，從而避免 ESD 發(fā)生后將被保護(hù)器件損壞。

避免 ESD 的發(fā)生

　　避免 ESD 發(fā)生的方法多出現(xiàn)于產(chǎn)品交付客戶(hù)以前，即研發(fā)、生產(chǎn)等過(guò)程。因?yàn)樵谶@些階段， IC 、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產(chǎn)工過(guò)程中的 SMT 制程）， IC 因 ESD 而損壞的可能遠(yuǎn)大于有外殼保護(hù)的成品。

　
表 1 幾種不同類(lèi)型器件的靜電敏感程度

　　一般而言，避免 ESD 的方法可分為以下幾類(lèi)：

　　 Surround （包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝，或使用有蓋的抗靜電容器儲(chǔ)放；而在靜電敏感區(qū)域（如 SMT 制程）工作的人員，則還要穿著靜電服。

　　 Ground （接地）：將工作環(huán)境中的人員及設(shè)備通過(guò)不同的地線(xiàn)接地；

　　 Impound （排除）：排除所有工作區(qū)域內(nèi)的非抗靜電材質(zhì)；此外，可在對(duì)靜電極為敏感工作站位增加離子風(fēng)扇以中和產(chǎn)品表面所帶靜電。
 
　
圖 2  使用離子風(fēng)扇并將靜電桌布接地以避免 ESD

　　另一方面，濕度亦是一個(gè)重要的考量因素。適宜的濕度可降低 ESD 發(fā)生的機(jī)率。（見(jiàn)表 2 ）這也是電子制造廠為何多在南方建廠的原因之一。

　
表 2 濕度對(duì)于 ESD 的影響

ESD 保護(hù)器件與保護(hù)電路

　　雖然上述避免 ESD 發(fā)生的方法有著很理想的效果，不過(guò)對(duì)于終端用戶(hù)顯然不太適合 —— 舉例來(lái)說(shuō)，我們不可能在使用手機(jī)之前先戴上靜電手環(huán)，通話(huà)結(jié)束后將手機(jī)放到靜電袋中以避免 ESD 。事實(shí)上，由于用戶(hù)鮮有機(jī)會(huì)接觸到產(chǎn)品內(nèi)部的元器件及電路板，因此也不需要如此嚴(yán)格的 ESD 防護(hù)措施，但這并不意味著 ESD 的問(wèn)題不存在 —— 首先， ESD 可以輸入 / 輸出連接器（如 USB 接口、充電器接口、 SIM 卡插槽等）為路徑進(jìn)入電路中的各種元件；其次，隨著電子產(chǎn)品，特別是消費(fèi)電子產(chǎn)品向著輕薄化發(fā)展，導(dǎo)致內(nèi)部 IC 的外形尺寸不斷減小，其自身 ESD 防護(hù)能力亦不斷減弱。所以，工程師在設(shè)計(jì)時(shí)通常加入 ESD 保護(hù)器件，而很多 IC 內(nèi)部也有片上 ESD 保護(hù)電路。

　
圖 3 在用戶(hù)端， ESD 可能由電子設(shè)備的各種接口進(jìn)入，并對(duì)內(nèi)部芯片造成損傷

片上 ESD 保護(hù)電路

　　相信所有人都希望 ESD 防護(hù)能完全地集成到 IC 芯片內(nèi)部，因?yàn)檫@樣會(huì)節(jié)省的板級(jí)空間，減少系統(tǒng)成本并降低設(shè)計(jì)與布線(xiàn)的復(fù)雜度。但從目前情況來(lái)看，前景并不樂(lè)觀。如今， IC 制程工藝的進(jìn)步成了片上 ESD 保護(hù)的一大難題。一方面，工藝的進(jìn)步雖提升 IC 的性能與集成度并降低功耗與尺寸，但由于柵極氧化層厚度越來(lái)越薄， IC 自身的 ESD 防護(hù)能力反而降低。另一方面，隨著 IC 尺寸的不斷減小，由于受到空間的限制，因此保護(hù)能力有限。

　
圖 4 隨著 IC 面積的不斷減小，很難在 IC 中集成 ESD 保護(hù)電路（資料來(lái)源：安森美半導(dǎo)體）

ESD 保護(hù)器件

　　由于片上 ESD 保護(hù)電路能力有限，為保證整個(gè)系統(tǒng)有較好的 ESD 防護(hù)能力，外部 ESD 保護(hù)器件是必不可少的。比較常見(jiàn)的有陶瓷電容、齊納二極管、肖特基二極管、 MLV(Multi-Layer Varistor ，多層變阻器 ) 和 TVS （ Transient Voltage Suppresser 瞬態(tài)電壓抑制器）。

　　 MLV 是一種基于 ZnO 壓敏陶瓷材料，采用特殊的制造和處理工藝而制得的高性能電路保護(hù)元件，其伏安特性符合 I=kVa ，能夠?yàn)槭鼙Ｗo(hù)電路提供雙向瞬態(tài)過(guò)壓保護(hù)。 MLV 的工作原理是利用壓敏電阻的非線(xiàn)性特性，當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。目前， MLV 在很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，如手機(jī)、機(jī)頂盒、復(fù)印機(jī)等等。

　
圖 5 MLV 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖

　　電子產(chǎn)品輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)使其對(duì) ESD 防護(hù)要求越來(lái)越高， MLV 漸漸有些力不從心， TVS 二極管則開(kāi)始嶄露頭角。 TVS 通常并聯(lián)于被保護(hù)電路，當(dāng)瞬態(tài)電壓超過(guò)電路的正常工作電壓時(shí)，二極管發(fā)生雪崩，為瞬態(tài)電流提供通路，使內(nèi)部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過(guò)熱燒毀。當(dāng)瞬時(shí)脈沖結(jié)束以后， TVS 二極管自動(dòng)回復(fù)高阻狀態(tài)，整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓。由于 TVS 二極管的結(jié)面積較大，使得它具有泄放瞬態(tài)大電流的優(yōu)點(diǎn)，具有理想的保護(hù)作用。 改進(jìn)后的 TVS 二極管還具有適應(yīng)低壓電路（＜ 5 V ）的特點(diǎn)，且封裝集成度高，適用于在印制電路板面積緊張的情況下使用。

　
  圖 6  TVS 二極管結(jié)構(gòu)與特征電流

　　與 MLV 相比，不難看出 TVS 有如下優(yōu)勢(shì)：

　 體積： MLV 的性能完全由其內(nèi)部材質(zhì)決定，因此很難在減小尺寸的同時(shí)保持或提高性能，封裝尺寸從 0402 到 1206 。而 TVS 采用硅芯片技術(shù)，可以得到比 MLV 更小的元件封裝尺寸（如圖 7 所示）。

　
圖 7  TVS 元件與 0402 封裝可變電阻尺寸比較，藍(lán)色為建議焊接面積 （資料來(lái)源：安森美半導(dǎo)體）

　 性能： TVS 有更低的箝制電壓、更低的漏電以及更快的響應(yīng)速度（如圖 8 所示）

　
圖 8  TVS 有著更低的鉗制電壓

　 壽命：由于工作原理不同， TVS 與 MLV 的壽命也不盡相同。安森美半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁麥滿(mǎn)權(quán)做了一個(gè)形象的比喻： “TVS 的原理就好像太極，把接收到的能量快速的轉(zhuǎn)移到接地端，所以它的壽命幾乎就是無(wú)限的。而可變電阻就好像一個(gè)人在不停的挨打，它把能量都由自己來(lái)承受吸收，因此，壽命是有限的，而且隨使用時(shí)間的增加，性能會(huì)慢慢下降。 ”

結(jié)語(yǔ)

　　 ESD 是一個(gè) “ 看似很小的大問(wèn)題 ” ，一個(gè)產(chǎn)品 ESD 防護(hù)的好壞直接影響到該產(chǎn)品的良品率及壽命。科研人員對(duì) ESD 防護(hù)的研究從未停止過(guò)，相信在不久的未來(lái)，會(huì)有更好的材料、更新的技術(shù)來(lái)幫助我們應(yīng)對(duì) ESD 所帶來(lái)的困擾。